• MRAM-Konsortium treibt die Entwicklung des DRAM-Nachfolgers voran

    Die Entwicklung des DRAM-Nachfolgers MRAM soll von einem Konsortium aus über 20 Unternehmen aus Japan und den USA mit dem Ziel vorangetrieben werden, dass bis zum Jahr 2017 Massenmarkt-taugliche Chips vorhanden sind, die dann 2018 mit den ersten Geräten verfügbar sein sollen.



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    Laut den Redakteuren von Nikkei Asian Report, soll das Konsortium die Forschungsarbeit der Tohoku Universität (Sendai/ Japan) finaziell unterstützen, womit die Entwicklung von MRAM auf den Stande einer Massenfertigung gehievt werden soll.

    Zu dem Konsortium zählen unter anderem bekannte Chiphersteller wie Shin-Etsu Chemical, Tokyo Electron, Renesas Electronics, Hitachi sowie Micron Tecnology, wobei letzterer bereits Pläne veröffentlicht hat, dass das Unternehmen im Jahre 2018 MRAM einsetzen möchte. Der Nikkei-Report stammt dabei aber aus nicht bestätigten Quellen.


    Der Vorteil des MRAMs liegt vor allem in der Geschwindigkeit, so Nikkei. Der nicht-flüchtige Speicher soll zudem auch sehr Energiesparend sein, womit dieser vorerst für mobile Endgeräte eingesetzt werden soll. Smartphones und Tabletsstehen bei den Upgradeplänen an erster Stelle, später sollen auch Notebooks damit ausgestettet werden können. MRAM steht für "Magnetoresistive Random Access Memory" und speichert im Vergleich zum DRAM nicht anhand elektrischer Ladungen, sondern auf magnetiscehm Weg. Die bereits 1990 entwickelte Speichertechnik gilt als eine nichtflüchtige Speichertechnik.


    Laut den Aussagen von Nikkei soll Samsung ebenfalls eine eigene Abteilung mit der Entwicklung des MRAMs beauftragt haben, obwohl der südkoreanische Hersteller nicht dem Konsortium angehört.

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