• Samsung verkündet neuen Meilenstein in der Entwicklung von kleineren Flashspeicherchips der 10nm-Klasse

    Chipfertiger Samsung will es kürzlich geschafft haben erste 128-Gbit-TLC-NAND Speicherchips zur Produktionsreife gebracht zu haben und damit die Branchenweit höchste Speicherdichte erreichen



    Die Entwicklung immer kleinerer Speicherbausteine mit wachsender Speicherdichte schreitet stetig voran. Während die aktuelle SSD-Generation mit Speicherchips aus der 19nm- oder der ähnlich großen 20nm-Produktion von Toshiba oder Micron entspringen, könnten in nicht all zu ferner Zukunft Flashspeicher-Laufwerke mit nur noch halb so großen Bausteinen ausgestattet werden. Dies zumindest stellt jetzt Samsung in Aussicht, denn der Hersteller vermeldet den Beginn der Massenproduktion eigener 128-Gbit-MLC-Speicherchips mit 3 Bit pro Zelle. Dabei komme ein Herstellungsprozess der 10-Nanometer-Klasse zum Einsatz. Wobei Samsung nicht konkret fest legt, sondern die Strukturbreite irgendwo zwischen 10 und 20 Nanometern einordnet.


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    Bild: Samsung

    Fest steht das mit diesen kleineren Flash-Chips nicht nur die Produktionskosten sinken dürften, sondern auch die Ausbeute der Hersteller ansteigt und so günstigere Chips für verschiedenste Einsatzgebiete möglich werden. Zudem dürften diese pro Speicher-Zelle auch mehr Informationen aufnehmen können, was ebenso dazu führt, das größere Kapazitäten bei gleichbleibendem Platzbedarf möglich erscheinen. Als derzeit primäre Einsatzgebiete der neuen Chips sieht Samsung Speicherkarten mit hohen Kapazitäten (128 GB und mehr) oder auch schnelle SSDs mit mehr als 500 GB.



    Quelle: Pressemitteilung

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