• Hynix stellt erste 8-Gb-LPDDR3 Speicher-Chips mit verbesserter Performane für mobile Endgeräte vor

    Speicher-Chip Entwickler Hynix stellt seine ersten Marktreifen LPDDR3-Chips mit bis zu 8 GB Kapazität und deutlich gesteigertem Datendurchsatz vor, welche im 20 nm Prozess hergestellt werden



    Die 20 nm-Strukturbreite der neuen Hynix-Speicherchips ist soweit nichts besonderes denn auch diverse andere Chip-Hersteller fertigen ihre Produkte bereits im kleineren Format. Die neuen LPDDR3-Bausteine gehören aber zu den Low-Power-Varianten, welche mit einer Versorgungsspannung von nur 1,2 V zurecht kommen und besonders kompakt entwickelt wurden. Damit eignen sich diese speziell für den Einsatz in immer schlanker werdenden Ultrabooks oder auch Tablets konzipierten Speicher-Chips, im Besonderen für sehr leistungsintensive Endgeräte im mobilen Einsatz. Bisher sind solche Low-Power Speicher-Chips, mit ähnlichen Abmessungen und verhältnismäßig hoher Performance nur mit einer Kapazität von 4 GB am Markt vor zu finden. Hynix will es mit der neuen effizienten Generation an Speicher-Bausteinen geschafft haben, den Platzbedarf deutlich zu reduzieren und neben der Leistungssteigerung auch die gesamte Effizienz der Speicher-Pakete zu steigern. Was dazu führen könnte, das entsprechend bestückte Ultrabooks oder Tablets zu längeren Laufzeiten kommen, bei gleichbleibender oder sogar höherer Leistung.



    Die neuen 8-Gb-LPDDR3 Speicher-Bausteine von Hynix, welche in 20 nm Fertigungstechnik produziert werden, sollen bei einer Betriebsspannung von 1,2 V eine maximale Bandbreite von 2133 Mb/s vorweisen. Zum Vergleich bieten aktuelle Speicher-Chips in neuesten End-Geräten eine maximale Bandbreite von nur 1600 Mb/s bei gleichzeitig bis zu 10 Prozent mehr Energiebedarf und ähnlichen Abmessungen.


    Bisher steht noch nicht fest, wann Hynix die breite Verfügbarkeit der neuen 8-Gb-LPDDR3-Chips sicher stellt. Aktuell geht der Speicher-Entwickler davon aus, das entsprechende Endgeräte frühestens gegen Ende 2013 einen wirklichen Bedarf für die leistungsfähigen Speicher-Module vorweisen können.

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