Intel und Micron entwickeln ersten 20 Nanometer Herstellungsprozess für NAND Flash Speicher

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    Standard Intel und Micron entwickeln ersten 20 Nanometer Herstellungsprozess für NAND Flash Speicher

    Neue 20nm, 8GB Flash Speicher bieten höchste Kapazität in kleinstem Format für Tablets, Smartphones, SSDs und weitere Computer Produkte

    · Intel und Micron führen mit dem 20nm Prozess die industrieweit kleinste und modernste NAND Flash Herstellungstechnologie ein.
    · Mit einer Größe von 118mm² bieten die neuen 8GB MLC NAND Flash Speicher mehr Kapazität für Smartphones, Tablets, SSDs und weitere Consumer-Geräte.
    · IM Flash Technologies ist mit dem 20nm Prozess Vorreiter der Branche und wird das gesamte Fabriknetzwerk rasch auf die neue Fertigungstechnologie umstellen.


    FELDKIRCHEN, 14 April 2011 – Intel und Micron Technology, Inc. stellen heute ihre neu entwickelte 20 Nanometer (nm) Technologie zur Herstellung von NAND Flash Speichern vor. Basierend auf dem neuen 20nm Herstellungsprozess kommen acht Gigabyte (GB) große Multi Level Cell (MLC) NAND Flash Speicher auf den Markt. Diese eignen sich dank hoher Kapazität und geringer Größe ideal für den Einsatz in Smartphones, Tablets oder Solid State Laufwerken (SSDs) für die Speicherung von Musik, Videos, Bücher und anderen Daten.

    Der Bedarf an Datenspeicherung wächst ebenso rapide wie der Funktionsumfang von Smartphones und Tablets. Dies erfordert immer größeren Speicherkapazitäten und stellt die NAND Flash Technologie vor die Herausforderung, mehr Speicherplatz in kleineren Formaten bereitzustellen.

    Die neuen 20nm 8GB Produkte messen gerade einmal 118mm2. Verglichen mit Intels derzeitigem 25nm 8GB NAND Modell (131mm2) ermöglichen sie es somit, die Ausmaße der Hauptplatine (abhängig vom Gehäusetyp) um bis zu 40 Prozent zu verringern. Die erhebliche Verkleinerung des Flash Speichers trägt dazu bei, die Effizienz und Funktionalität von Tablets und Smartphones zu verbessern. Hersteller können den gewonnenen Raum mit einer größeren Batterie, einem breiteren Bildschirm oder einem weiteren Chip für neue Anwendungen füllen.

    Für IM Flash Technologies (IMFT), das NAND Flash Joint Venture von Intel und Micron stellen die neuen 20nm 8GB Geräte basierend auf dem 20nm Herstellungsprozess einen Durchbruch in NAND Fertigung und Technologiedesign dar. Sie unterstreichen die Vorreiterrolle des Unternehmens in diesem Bereich. Das Schrumpfen der NAND-Lithographie ist die kosteneffizienteste Lösung um die Produktion der Fabriken signifikant zu steigern. So stellt der neue Herstellungsprozess im Vergleich zum aktuellen 25nm Verfahren rund 50 Prozent mehr an Speicherkapazität in GB zur Verfügung, während in punkto Leistung und Zuverlässigkeit ähnliche Werte erreicht werden.

    Mit der stetigen Weiterentwicklung im Bereich moderner Herstellungstechnologien und der darauf folgenden raschen Implementierung in das komplette Fabriknetzwerk hat IM Flash Technologies Vorbildcharakter für die gesamte Fertigungsindustrie.

    Verfügbarkeit

    Prototypen der 20nm 8GB Geräte sind bereits in Produktion, die Serienfertigung beginnt voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16 GB NAND Flash Speicher präsentieren, die dann auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 GB Speicherkapazität bieten und in eine Single Solid State Speicherlösung integriert sind.

  2. Standard

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