Siegeszug einer neuen Flash-Speicher Generation?

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    ☼Jesterhead☼ Avatar von Volker

    Mein System
    Volker's Computer Details
    CPU:
    Intel Core i7 930 mit NexXxoS XP@4,04 GHz
    Mainboard:
    Asus RAMPAGE III EXTREME
    Arbeitsspeicher:
    3X2048 MB GeIL DDR3 2000 EVO TWO@9-9-9-2000
    Festplatte:
    2x WD Velociraptor Enterprise Edition 150GB @RAID 0 1x OCZ Vertex 3 SSD 240GB
    Grafikkarte:
    PointOfView GTX580 Beast 2 by TGT G110 Fermi 1536MB Wassergekühlt
    Soundkarte:
    Auzentech X-Fi Home Theater
    Monitor:
    LG Flatron 245WP+ LG Flatron M2380D @ Dual View
    Gehäuse:
    Lian Li PC-A71 schwarz
    Netzteil:
    Cougar GX800 800 Watt
    Betriebssystem:
    Windows 7 Ultimate 64 Bit
    Laufwerke:
    Pioneer BDR-205 Blu-Ray Brenner

    Standard Siegeszug einer neuen Flash-Speicher Generation?

    In Japan, genauer im National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) wurde ein erneuter Durchbruch in der Halbleiterforschung erziehlt. Es wurde erstmals möglich, Flash Speicher herzustellen, der bis zu 10.000 mal öfter beschrieben und gelesen werden kann als der handelsübliche. Die Mitarbeiter der University of Tokyo haben Speicher entwickelt, der bis zu 100.000.000 mal beschrieben werden kann. Ausserdem wurde die Spannung, die zur Programmierung benötigt wird, von aktuell 20V auf weniger als 6 Volt abgesenkt. Dies ermöglichen neuartige ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFETs), die anstelle der sonst üblichen NAND-Speicherbausteine die Daten nachbilden. Die Bauteile können weiterhin mit bis zu 10nm "großem" Abstand aneinandergereiht werden, was bisher nur bis 30nm möglich war.
    Dieser neue, äußerst belastbare Speichertyp ist nach ersten Berechnungen bis zu 10 Jahre haltbar.

    Quelle: Japaner machen Flash-Speicher bis zu 10.000-mal haltbarer - Hardware | ZDNet.de News

  2. Standard

    Hallo Volker,

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